半導体ストレージ2012

日経エレクトロニクス 編

A4変
240ページ
 
価格 37,029円(税込み)
ISBN 978-4-8222-6558-8
発行元 日経BP社
発行日 2011/07/29

半導体ストレージ2012

 次世代記憶装置の最新動向――速く、軽く、堅牢に

内容紹介

NANDフラッシュ・メモリを使った半導体ストレージの市場が巨大化する方向が見えてきた。半導体ストレージの過去10年の主な用途はデジタル・カメラや携帯型メディア・プレーヤーなどのデジタル民生機器だった。今後は、スマートフォンやタブレット端末、SSD(solid state drive)搭載パソコンといったローカル・サイド(端末)の需要拡大とともに、クラウド・コンピューティングを担うサーバー機やデータ・センターなどの各種インフラストラクチャ機器による需要が急拡大する。こうした用途に向けて、3次元化をはじめとしたNANDフラッシュ・メモリの新たな大容量化技術が提案され、それと同時に、コントローラやOSなどのフラッシュ・メモリを使いこなす技術も着実に進化している。巨大市場の到来を視野に、抵抗変化型メモリ(ReRAM)や相変化メモリ(PRAM)といったポストNANDフラッシュ・メモリを狙う新型不揮発性メモリの研究開発も活発化している。


半導体ストレージは、世界的に見ても日本が高い競争力を持つ分野でもあり、東日本大震災からの復興を目指す日本にとって、国を挙げて推進すべき技術領域である。
本書は、半導体ストレージの中核部品であるNANDフラッシュ・メモリの最先端の技術開発動向や、半導体ストレージを利用した最先端機器の分解をはじめとしたアプリケーション動向、さらにはポストNANDフラッシュ・メモリを狙う次世代不揮発性メモリの最新開発動向をまとめる。これらに加えて、特別寄稿として、東北地方の産業振興策として、半導体ストレージを用いた低電力のスマート・データセンターの提案に関する東京大学からの新規論文も掲載する。


※「日経エレクトロニクスPremium」読者の方はPremium特価でご購入いただけます。
お申し込みはこちらから


この商品は完売いたしました

目次を見る

■返品・解約について