次世代パワー半導体

日経エレクトロニクス 編

A4変
216ページ
 
価格 43,200円(税込み)
ISBN 978-4-8222-6574-8
発行元 日経BP社
発行日 2012/04/24

次世代パワー半導体

 存在感増すSiCとGaN

内容紹介

 電力削減や環境負荷低減が求められる中、省エネの切り札として「パワー半導体」の活躍の場が増えています。サーバーやパソコンなどのIT機器、エアコンを始めとする白物家電、太陽光発電システムで利用するパワー・コンディショナー、ハイブリッド車といった電動車両、鉄道や送電システムなど、多岐に渡る分野で利用されています。
その背景には、パワー半導体の性能が向上し続けていることがあります。中でも、現行材料のSiでは実現できない大幅な効率向上や小型化を見込める次世代材料として、SiCやGaNに大きな期待が寄せられています。
 SiC製ダイオードを提供するメーカー数も増え、以前よりもはるかに安くなりました。このため、産業機器など一部の機器にだけに搭載されていたSiC製ダイオードが、家庭用のエアコンにも搭載されるようになっています。鉄道向けインバータ装置への搭載も始まりました。そして、切望されていたSiC製MOSFETも製品化されています。
 一方、GaNデバイスは、これまでのLEDや半導体レーザといった発光素子や、無線通信の基地局で利用する高周波素子としての利用に加え、パワー半導体としても実用化が始まりました。
 本書では、SiCやGaNといった次世代パワー半導体の技術と市場の最新動向をまとめました。SiCやGaNを使ったパワー素子だけでなく、自動車や鉄道などへの応用技術や、モジュール化のための周辺技術、パワー素子を製造するのに欠かせない基板技術についても、取り上げています。次世代パワー半導体の最新動向を把握するのに適した一冊です。

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