目 次

半導体技術年鑑2010<デバイス/プロセス編>の主な内容

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■第1章 未来予測
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  1-1 2020年の将来像
     2020年の半導体−アプリケーションの多様化への挑戦
  1-2 最新技術ロードマップ
      最新ロードマップに見る半導体技術の進化
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■第2章 技術戦略
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  2-1 技術開発&製造体制/進む合従連衡,4大メジャー体制が確立
  2-2 Intel/マイクロプロセサの技術戦略
  2-3 Samsung/メモリーの技術戦略
  2-4 TSMC/Siファウンドリの技術戦略
  2-5 IBM/研究開発戦略
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■第3章 回路&デバイス技術
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 Part1:0.5Vへの低電圧化
  3-1-1 0.5V化の意義
      低電圧化は微細化の維持と新たな価値創出の大前提
  3-1-2 0.5V化への道
      デバイスや回路を再構築,増大するバラつきに克つ
  3-1-3 ロジック回路
      設計から見たトランジスタのバラつきと極低電圧ロジック
  3-1-4 ロジック素子
      LSI低電圧化に向けたCMOSの特性バラつきの克服
  3-1-5 SRAM/SRAMのバラつき影響と低電圧化
  3-1-6 RF・アナログ
      アナログ・RF回路の低電圧化へのアプローチ
 Part2:Tビットへの微細化・大容量化
  3-2-1 NAND微細化の危機
      2012年に迫る微細化の限界,3次元化で危機脱出に挑む
  3-2-2 NAND微細化限界の克服
      3次元化の開発競争が激化,東芝とSamsungが火花
  3-2-3 新型メモリーの開発
      ポストDRAMの座を狙う新型RAMの開発競争が激化
    3-2-4 新型メモリーの応用
           DRAM置き換えの不揮発性メモリー,携帯電話機やサーバーから採用へ
    3-2-5 トランジスタの微細化
           プレーナFETは22nmで終焉へ,非プレーナ型の時代が到来
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■第4章 プロセス技術
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  Part1:プロセス・イノベーション
    4-1-1 FEOL
           技術開発進むhigh-k/メタル・ゲート,それでも32nmでの一斉導入は微妙に
    4-1-2 BEOL/22nmまで延命するスパッタ,ALDへの移行はその後の世代へ
    4-1-3 リソグラフィ
           次世代リソグラフィ技術,32nm以降の技術展望を探る
    4-1-4 450mm化を仕掛ける
           業界を二分する大論争,ビッグ3の共同宣言で激化
    4-1-5 450mm化論争の構図
           対立と条件交渉を使い分け,“落とし所”を探る
  Part2:エマージング・テクノロジ
    4-2-1 新材料
           カーボン・ナノチューブとグラフェン,突き抜けた物性をデバイス開発に生かす
    4-2-2 新プロセスの開発
           デバイス特性の限界突破に向けてナノインプリントに脚光
    4-2-3 新プロセスの応用
           加速するLSIへの適用検討,2012年に量産装置が出荷開始
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■第5章 技術開発動向
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  Part1:学会発表動向
    5-1-1 ISSCC 2008
           テーマは医療/ヘルスケア,45nm技術も多数登場
    5-1-2 ISSCC 2009
           半導体業界の動きを反映,微細化に頼らない技術も
  Part2:特許出願動向
    5-2-1 特許分析/大手半導体メーカーの競争力を米国特許で測る
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■第6章 資料
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    6-1 半導体20社の業績&設備投資動向
    6-2 半導体20社の生産ライン一覧